據悉，膜結構充電樁中的存儲模塊分為兩部分：一部分是fm24clo4b，用于存儲直流充電樁系統的一些重要參數；另一部分是大容量at45db161dtu，它將歷史數據存儲在充電交易記錄中。
為了確保系統重要參數存儲的牢靠性，防止出現數據的丟失或者誤操作，在本系統的設計中，我們放棄了使用單片機內部的EEPROM，采用了優良的數據存儲電路。充電點存儲采用鐵電存儲器fm24clo4b，芯片通過HIC串行擴展總線與MCU進行數據通信，SCL提供時鐘，SDA進行數據輸送，采用全雙工模式進行數據交換。芯片為非易失性鐵電隨機串行存儲器，內部具有512字節大小的存儲空間，讀寫次數達100億次，掉電數據能保存10年，總線速度可以達到1MHz，而且寫數據無延時。充電樁的工作電壓為3.3V，工作電流為150uA，采用8腳的SOIC封裝。

為了防止在膜結構充電樁系統運行或是在上電途中呈現對此芯片的誤寫入，系統對它運用了可控制的供電形式，即當MCU工作穩定且需要讀寫數據時才對芯片進行上電。為了存儲充電交易，記錄歷史測量數據，系統選用大容量存儲器AT45DB161DTU。該存儲器使用了模擬SPI（串行了外設接口）進行了數據的讀寫。芯片AT45DB161DTU是采用串行接口進行數據交換的閃存，供電電壓低，適合應用于數字，圖像，軟件程序等文件的存儲。其內存空間分為8192頁，每頁可以存儲512個字節大小的數據。AT45DB161DTU可支持快速的串行接口，能夠執行速度較高的讀寫操作。此膜結構充電樁所用的快接口能兼容SPI數據交換的格式，較高的運作頻率是為66Hz，運用了28腳的SOIC進行封裝。
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